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Opto Diode 的高功率近红外发光二极管（near-IRLED）是监控或夜视应用的适配之选。我们的器件单芯片可产生高达 250 mW 的直流电；阵列可产生高达 1000 mW 的直流电。我们的标准和定制配置可根据您的核心输出规格进行定制。

宽温度额定值

2 引线 TO-39 封装

窄发射角

隔离外壳

符合 RoHS 和 REACH 规范

产地：美国

25 ℃ 时的电光特性

总输出功率P_o ，I_F = 500 mA：50 至 100 mW

峰值发射波长λ_P ，I_F = 50 mA：880 nm

50% 时的光谱带宽Δλ ，I_F = 50 mA：55 nm

半强度光束角θ ，I_F = 50 mA：7 度

正向电压V_F ，I_F = 500 mA：1.75 至 2 V

反向击穿电压V_R ，I_R = 10 µA：5 至 30 V

上升时间：20 ns

下降时间：20 ns

25 ℃ 外壳温度下的Max额定_abs值

超过 25 ℃ 时按热降额曲线降额，功率耗散：1000 mW

连续正向电流：500 mA

超过 25 ℃ 时按线性递减，峰值正向电流（10 µs，200 Hz）：1.5 A

反向电压：5 V

引线焊接温度（距外壳 1/16 英寸，10 秒）：260 ℃

热参数

存储和工作温度范围：-65 至 150 ℃

Max结温：150 ℃

热阻，R_THJA：150 ℃/W 典型值

热阻，R_THJC：60 ℃/W 典型值

监控、夜视应用