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近红外发光二极管(IRLED)有宽、中或窄输出模式,采用坚固的密封封装。金属外壳具有理想的散热性能,工作温度范围从 -65 到 +150℃ 。Opto Diode 的 IRLED 具有广泛的线性功率输出,并提供更高的速度等级。在静止空气中测量,通过导线传导的热量小,从而很大限度地减少热传递。空气快速循环,使外壳温度保持在 25 ℃
高光学输出
810 nm 峰值发射
密封金属 TO-46 封装
宽发射角度,可覆盖大片区域
高辐射耐受性
良好的功率衰减特性
快速响应
提供 MIL-S-19500 筛选
无内部涂层
产地:美国
25 ℃ 时的电光特性
总输出功率Po ,IF = 100 mA:2 至 3 mW
峰值发射波长λP ,IF = 50 mA:810 nm
50 % 时的光谱带宽Δλ ,IF = 50 mA:50 nm
半强度光束角θ ,IF = 50 mA:80 度
正向电压VF ,IF = 100 mA:1.45 至 1.8 V
反向击穿电压VR ,IR = 10 µA:3 至 4 V
电容C ,VR = 0 V:150 pF
上升时间:60 毫微秒
下降时间:60 毫微秒
25° 时的Max额定abs值
25 ℃ 以上按热降额曲线降额,功率耗散:180 mW
连续正向电流:100 mA
25 ℃ 以上按线性递减,峰值正向电流(10 微秒,150 赫兹):3 A
反向电压:3 V
引线焊接温度(距外壳 1/16 英寸,10 秒):240 ℃
热参数
存储和工作温度范围:-65 至 150 ℃
Max结温:150 ℃
热阻,RTHJA:400 ℃/W 典型值
热阻,RTHJA:135 ℃/W 典型值

航空航天、汽车、生物技术、食品加工、军事/国防、工业、半导体设备制造、测试和测量
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