产品介绍
Low Voltage PSRAM是IoTRAM系列产品之一，PSRAM本身拥有双电压(1.8v/1.2v)设计，相对于单电压1.8V OPI/HPI PSRAM，1.2V核心电压与I/O电压能够大幅降低：(1)56%与SOC 传输资料所产生的功耗；(2)>30%使用PSRAM本身产生的功耗。
性能特点
- 低引脚数：简化设计，降低产品系统成本。
- 低功耗。
- 2v核心与输入输出电压设计可有效降低使用功耗。
- 低功耗模式可增加产品待机时间，减少更换电池或充电的频率。
技术参数
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产地 |
中国台湾 |
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系列 |
PSRAM |
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类型 |
虚拟静态随机存取存储器 |
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密度 |
256Mb |
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电压 |
1.8V/1.2V |
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配置 |
X8/X16 |
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数据速率 |
332 Mbps |
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核心电压 |
1.2V |
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外部介面（I/O Interface） |
类似 SRAM |
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内部线路设计 |
类似 DRAM |
产品应用
数据机连网设备、物联网、边缘运算人工智慧、智慧显示装置、穿戴式装置、使用电池供电的产品
津公网安备12010102000946号
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津ICP备13001985号-1
