产品介绍
LPDDR是根据JEDEC标准规范开发的产品线，提供LPDDR2、LPDDR3等产品。这些低功耗动态随机存取记忆体（LPDDR）系列产品适用于物联网（IoT）和人工智慧（AI）等应用领域。
性能特点
- DLL 未实现
- 低功耗
- 符合 JEDEC LPDDR3 标准
- 部分阵列自刷新 (PASR)
- 通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新 (ATCSR)
- 深度掉电模式
- 双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
- 高速数据传输通过 8n 预取流水线架构实现
- 差分时钟输入 (CK_t 和 CK_c)
- 命令在每个 CK_t 上升沿输入；数据和数据掩码参考 DQS 的两个上升沿
- 用于写入数据的数据掩码 (DM)
技术参数
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产地 |
中国台湾 |
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密度 |
1G 位 |
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组织结构 |
4 个存储体 x 8M x 32 位 |
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电源 |
VDD1=1.7 至 1.95V |
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VDD2、VDDQ=1.14 至 1.3V |
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时钟频率 |
933(*)/800/667/533MHz |
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Max.VDD2、VDDQ=1.17V 至 1.3V |
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页大小 |
4KB |
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行地址 |
AX0 至 AX12 |
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列地址 |
AY0 至 AY9 |
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x32 |
4 个内部存储体，支持并发操作 |
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接口 |
HSUL_12 |
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突发长度 (BL) |
8 |
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读取延迟 (RL) |
3、6、8、9、10、11、12、14、16 |
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写入延迟 (WL) |
1、3、 4、5、6、8、9、11、13 |
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预充电 |
每次脉冲自动预充电选项 |
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驱动强度 |
可编程 |
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刷新 |
自动刷新 |
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平均刷新周期 |
7.8 微秒 @ <85°C |
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1.95 微秒 @ <105°C |
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工作温度范围 |
TOPER = -25°C 至 +85°C |
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TOPER = -40°C 至 +105°C（扩展范围） |
津公网安备12010102000946号
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津ICP备13001985号-1
