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NEO HB 是一款自动倒装芯片键合机,专为在独自或全自动模式下实现 ±0.5 µm @ 3σ 的键合后精度而设计。
该设备专为量产而设计,适用于混合键合和直接键合工艺。
NEO HB 兼具高精度、灵活性及短周期时间。
± 0.5 µm @ 3 σ 粘接后精度
全自动功能
用户友好型界面
闭环系统确保高重复性
兼容从独自式到全自动式
洁净度等级:独自式 ISO 5 / 全自动式 ISO 3
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产地 |
法国 |
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机型定位 |
量产级 Hybrid Bonding 室温混合键合 + 倒装键合设备(C2C/C2S/C2W 三工艺一体) |
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对准 & 键合精度 |
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键合后对准精度 |
±1μm @3σ(整机标配) |
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视觉预对准重复精度 |
±0.25μm |
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选配高精度模组 |
键合精度可达 **±0.1μm@3σ**(配套 SUSS 集群机型配置) |
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更小互连适配间距 |
<10μm 超细凸点 / 铜互连(混合键合无凸点工艺) |
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产能 UPH |
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标准量产配置 |
更高 1000 Die / 小时(UPH=1000) |
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C2W 芯片对晶圆模式 |
450~750 片 / 小时(随裸片尺寸浮动) |
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C2S 基板倒装 |
600~900 颗 / 小时 |
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基板 / 晶圆兼容规格 |
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晶圆尺寸 |
100/150/200/300mm(4/6/8/12 寸全兼容) |
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裸片尺寸 |
0.2mm×0.2mm ~ 50mm×50mm |
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基板 |
PCB、陶瓷基板、硅载片、玻璃载片、划片膜框晶圆 |
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物料形态 |
整片晶圆、单颗裸片、篮装晶粒、料盒自动上料 |
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洁净环境等级 |
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单机手动版 |
ISO Class5(万级洁净腔体) |
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EFEM 全自动晶圆传片版 |
ISO Class3(千级量产无尘标准) |
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键合压力参数 |
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压力量程 |
0.1g ~ 500kg 分段可调(分低压混合键合、高压热压两个模组) |
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室温 HB 混合键合 |
0.1g~5kg 低压区间(无加温直接键合) |
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热压倒装键合 |
5kg~500kg 高压区间(Au-Sn/In/Cu 焊料热压) |
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压力控制精度 |
±1% FS 闭环伺服控制 |
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加温温控参数(热压选配模块) |
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温度区间 |
室温~450℃ |
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温控精度 |
±0.5℃,上下载独自控温 |
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支持工艺 |
Au-Au 热压、AuSn、In、CuSn 回流焊、UV 低温固化键合 |
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设备配置形态(3 种出厂选配) |
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Stand-alone 单机版 |
手动上下料、实验室小批量试产、ISO5 腔体 |
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EFEM 全自动量产版 |
晶圆 FOUP 匣式自动上下料、双机械手、ISO3 洁净,封测厂主力配置 |
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Cluster 集群版 |
对接 SUSS 晶圆键合机 XBC300 产线,一体化 W2W+D2W 混合键合产线 |
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视觉与运动系统 |
上下双光路同轴 CCD 视觉、全自动图像识别找位 |
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X/Y/Z/θ 四轴全闭环伺服 + 内置主动减振基座 |
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Z 轴行程:0~30mm;θ 旋转:±180° 无级微调 |
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支持工艺清单 |
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室温混合直接键合 HB(核心主打) |
Cu-Cu 无凸点 Hybrid Bonding,全程常温低压无需底填 |
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传统倒装 |
C2C 芯片对芯片、C2S 芯片对基板、C2W 芯片对晶圆倒装 |
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焊料键合 |
金锡、铟、铜锡共晶热压、UV 胶固化贴片 |
HBM 堆叠、3D NAND、3D IC 逻辑堆叠、硅光 / 光通信芯片、MEMS、Mini/Micro LED 巨量转移、WLCSP 晶圆级封装
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