 |
产品介绍
Opto Diode 的 UVG 系列光电二极管专为高灵敏度检测深紫外（DUV）和紫外（EUV）辐射而设计。这些探测器在 190 至 400 nm 范围内具有高响应性，可为要求苛刻的科学、工业和航空航天应用提供高精度和高稳定性。UVG 光电二极管专为低暗电流和高量子效率而设计，可在需要准确紫外线测量的环境中提供可靠的性能。
性能特点
高紫外线响应度
低暗电流
高量子效率
圆形有效区域
适用于 225-400 纳米检测
纯内部 QE
带紫外线玻璃窗的焊接盖
技术参数
|
产地 |
美国 |
|
25 ℃ 时的电光特性 |
|
|
有源面积 Φ 2.5 mm |
5 mm2 |
|
响应率 |
0.09 至 0.115 A/W |
|
暗电流，Idr VR = 6 V |
1 nA |
|
反向击穿电压，VR IR = 1 µA |
25 至 50 V |
|
电容，C VR = 0 V |
500 至 1500 pF |
|
响应时间 VR = 0 V |
1 至 2 µs |
|
热参数 |
|
|
存储温度范围 |
-20 至 80 ℃ |
|
工作温度范围 |
-20 至 80 ℃ |
|
引线焊接温度 |
240 ℃ |
|
距外壳 |
0.0625 英寸 |
|
持续时长 |
10 秒 |
产品尺寸
产品应用
半导体光刻技术、航空航天与环境传感、紫外光谱
津公网安备12010102000946号
｜
津ICP备13001985号-1
