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AXUV 探测器系列可对 0.0124 至 190 nm的光子、电子或 X 射线进行高性能测量，并可探测 100 eV 至 50 keV 的能量。装运时附带临时盖板，以保护光电二极管阵列和导线键合。 取下盖子之前，请阅读应用说明 “AXUV、SXUV 和 UVG 检测器的处理注意事项”。随着时间的推移，对低能量辐射和 150 nm 以下波长的响应能力将受到影响。

圆形有效区域

电子探测的适配选择

防护盖板

产地：美国

光电二极管：Φ5 mm

25 ℃ 时的电子光学特性

有源面积 Φ5.5 mm：23 mm²

分流电阻 V_f = ± 10 mV：100 MΩ

反向击穿电压V_R ，I_R = 1 µA：5 至 10 V

电容C，V_R = 10 伏：500 至 1500 pF

上升时间 V_R = 0 V，R_L = 50 Ω：2 us

热参数

环境温度：-10 至 40 ℃

氮气或真空：-20 至 80 ℃

引线焊接温度：260 ℃

注意事项：温度超过这些参数可能会在有源区产生氧化物生长。

引线焊接：距离外壳 0.080 英寸，持续 10 秒

航空航天、汽车、生物技术、食品加工、军事/国防、工业、半导体设备制造、测试和测量