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Opto Diode 的 UVG 系列光电二极管专为高灵敏度检测深紫外(DUV)和紫外(EUV)辐射而设计。这些探测器在 190 至 400 nm 范围内具有高响应性,可为要求苛刻的科学、工业和航空航天应用提供高精度和高稳定性。UVG 光电二极管专为低暗电流和高量子效率而设计,可在需要准确紫外线测量的环境中提供可靠的性能。装运时附带临时盖子,以保护光电二极管和导线键合。取下盖子之前,请阅读应用说明 “AXUV、SXUV 和 UVG 检测器的处理注意事项”。
高紫外线响应度
低暗电流
高量子效率
圆形有源区
适用于 193 至 400 nm检测
纯内部 QE
无盖,可实现高响应度
为运输目的用胶带粘上的牺牲帽
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产地 |
美国 |
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25 ℃ 时的电光特性 |
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有源面积 Φ 4.1 mm |
13.2 mm2 |
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响应率 |
0.105;0.115;0.125 A/W |
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分流电阻 V = ±10 mV |
100 至 1000 Ω |
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反向击穿电压,VR IR = 1 µA |
10 V |
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电容,C VR = 0 V |
3 至 7 nF |
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响应时间 VR = 0 V |
4 µsec |
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热参数 |
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存储温度范围 |
-20 至 80 ℃ |
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工作温度范围 |
-20 至 80 ℃ |
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引线焊接温度 |
240 ℃ |
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距外壳 |
0.0625 英寸 |
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持续时长 |
10 秒 |
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装运防护措施 |
附带临时盖子 |

半导体光刻技术、航空航天与环境传感、紫外光谱
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