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Opto Diode 的 UVG 系列光电二极管专为高灵敏度检测深紫外(DUV)和紫外(EUV)辐射而设计。这些探测器在 190 至 400 nm 范围内具有高响应性,可为要求苛刻的科学、工业和航空航天应用提供高精度和高稳定性。UVG 光电二极管专为低暗电流和高量子效率而设计,可在需要准确紫外线测量的环境中提供可靠的性能。
高紫外线响应度
低暗电流
高量子效率
圆形有效区域
电子探测的适配选择
纯内部 QE
TO-8 封装
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产地 |
美国 |
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25 ℃ 时的电光特性 |
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有源面积 Φ 4.9 mm |
19 mm2 |
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反向击穿电压,VR IR = 1 µA |
20 V |
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电容,C VR = 0 V |
1.2 至 1.5 nF |
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上升时间 RL = 50 Ω,VR = 0 V |
1 us |
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分流电阻 V = ±10 mV |
50 至 100 MΩ |
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暗电流 VR = 13 V |
30 nA |
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芯片有效面积 |
Φ 5.5 mm |
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孔径尺寸 |
Φ 4.9 mm |
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热参数 |
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存储温度范围 |
-20 至 100 ℃ |
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工作温度范围 |
20 至 80 ℃ |
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引线焊接温度 |
240 ℃ |

半导体光刻技术、航空航天与环境传感、紫外光谱
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