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X3C35P1-02S 是一款低剖面、高性能的非均匀分路正交 2dB 混合耦合器,额定功率为 80 瓦(平均),峰均比为 12dB,采用全新易用且便于制造的 Xinger 式表面贴装封装。该器件专为电信、航空等终端市场的 5G 和 C 频段应用而设计。它尤其适用于 Doherty 功率放大器中的功率分配器,满足低插入损耗、严格的功率分配比控制和相位平衡控制等需求。
该器件经过 Xinger 严格的认证测试,并采用与 FR4、G-10、RF-35、RO4003 和聚酰亚胺等常用基板热膨胀系数 (CTE) 兼容的材料制造。采用符合 RoHS 标准的 6/6 级浸锡工艺。

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产地 |
美国 |
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频率 |
3400 - 3600 MHz |
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隔离度 |
Min.20 dB |
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插入损耗 |
Max.0.20 dB |
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回波损耗 |
Min.20 dB |
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耦合度 |
max.2.0 ± 0.25 dB |
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相位平衡 |
90 ± 4.0度 |
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功率 |
平均80 W @ 95°C |
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基板 |
FR4、G-10、RF-35、RO4003 和聚酰亚胺等 |
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封装 |
表面贴装 |
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工作温度 |
-55 到 +150 °C |

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