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澳门银娱游戏平台-澳门（中国）:OPTO DIODE红外发射器OD-110L
- 品牌：OPTO DIODE
- 型号：OD-110L
- 下载： OPTO DIODE红外发射器OD-110L.pdf
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产品介绍
Opto Diode 的近红外 (NIR) 高功率 LED 专为需要准确、高输出红外照明的苛刻应用而设计。这些器件在 700 至 1300 nm 范围内发光，具有优良的辐射测量性能、光谱稳定性和长工作寿命。我们的高功率近红外 LED 单芯片输出功率高达 250 mW (DC)，多芯片阵列输出功率高达 1000 mW (DC)，是夜视、监控、工业传感和其他关键任务系统的适配之选。我们提供标准和定制配置，以满足您对波长、输出和封装的确切要求。
性能特点
高光学输出
模角上的四线键合
窄光束
标准 3 引线 TO-39 密封封装
芯片尺寸：0.026 x 0.026 ”
技术参数
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产地 |
美国 |
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25 ℃ 时的电光特性 |
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总输出功率，Po IF = 500 mA |
55 至 110 mW |
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峰值发射波长，λP IF = 50 mA |
850 nm |
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50% 时的光谱带宽，Δλ IF = 50 mA |
40 nm |
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半强度光束角，θ IF = 50 mA |
7 ° |
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正向电压，VF IF = 500 mA |
1.7 至 2 V |
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反向击穿电压，VR IR = 10 µA |
5 至 30 V |
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上升时间 IFP = 50 mA |
20 nsec |
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下降时间 IFP = 50 mA |
20 nsec |
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25 ℃ 外壳温度下的Max额定值 |
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功率耗散 |
1000 mW |
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连续正向电流 |
500 mA |
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峰值正向电流（10 µs，200 Hz） |
1.5 A |
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反向电压 |
5 V |
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引线焊接温度（距外壳 1/16 英寸，10 秒） |
260 ℃ |
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热参数 |
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存储和工作温度范围 |
-40 至 100 ℃ |
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Max结温 |
100 ℃ |
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热阻，RTHJA1 |
150 ℃/W 典型值 |
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热阻，RTHJA2 |
60 ℃/W 典型值 |
产品尺寸
产品应用
生物设备、航空航天、科学研究与仪器仪表
津公网安备12010102000946号
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津ICP备13001985号-1
