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威世科技Vishay近日宣布，其第三代650V与1200V碳化硅肖特基二极管产品线进一步扩充，新增三款采用超薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封装的器件——包括2A规格的VS-3C02EJ07-M3、1A的VS-3C01EJ12-M3以及2A的VS-3C02EJ12-M3。该系列产品基于合并PIN肖特基（MPS）技术构建，封装本体最小爬电距离达到3.2mm，不仅具备低电容电荷特性，还实现了几乎不随温度变化的开关性能，有助于显著提升高速硬开关电源架构的运行效率。

针对高压工作环境，这些新型二极管通过增大封装爬电距离强化了电气绝缘能力，同时封装采用CTI 600级别的模塑材料，进一步保障了高绝缘可靠性。在空间敏感型设计中，其封装厚度仅为0.95mm，远低于同级别SMA/SMB封装器件普遍2.3mm的厚度，为紧凑布局提供了更大灵活性。

与常规硅基二极管相比，VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3在全温度范围内可将容性电荷稳定控制在7.2nC的低水平，有助于实现更快的开关速率、降低动态损耗，从而优化高频电路能效。此外，该系列器件几乎不存在反向恢复电流拖尾现象，结合MPS技术将正向压降降至1.30V，进一步提升了整体能效表现。

该系列二极管支持最高+175℃工作结温，主要面向服务器电源模块中的DC/DC与AC/DC变换电路，适用于自举二极管、阻断二极管及PFC二极管等角色，同时也广泛适用于发电与储能系统、工业驱动装置、电动工具以及X射线发生设备。得益于其正温度系数特性，这些器件在多管并联应用时能够实现良好的电流均流效果。

该系列产品符合RoHS标准，不含卤素，湿度敏感度等级达到MSL 1，满足J-STD-020封装可靠性标准与JESD 201二级晶须测试要求，适用于高可靠性应用场景。